引言：
随着社会的快速发展，芯片制造技术也在加速更新迭代。然而，7nm芯片的量产却在徘徊不前，原因在于制造7nm芯片的关键设备EUV光刻机难以生产。本文将介绍中芯国际无法实现7nm量产的问题，探讨EUV光刻机难产的原因，并提出了寻找另一个突破点的建议。
中芯国际与EUV光刻机的困境
EUV光刻机是制造7nm芯片的关键设备，它的光刻精度更高，能够打破传统光刻机制造芯片的极限。中芯国际早在2018年就向全球唯一能够生产EUV光刻机的厂商ASML订购了一台，但至今未能交货。由于DUV光刻机无法完成先进制程芯片的制造，使得中芯国际无法实现7nm量产。这是一个极其困难的问题，因为全球想要订购的EUV光刻机已经排满了两年的订单，后续投产周期也需要相当长的时间，甚至到2023年左右才能供货。这意味着，中芯国际在EUV光刻机上的生产计划受到了很大的影响。除了中芯国际之外，其他全球芯片制造商在使用EUV光刻机方面也受到同样的问题影响。
1、EUV光刻机的产生及其困境
EUV光刻机是一种全新的、能够制造7nm以上芯片的光刻设备。ASML目前是全球唯一一家能够生产EUV光刻机的制造商。然而，EUV光刻机的生产极其困难，因为其需要使用更加高超的光学技术，以及更加严格的工艺和材料要求，所以生产上的困难大大增加。这也是为什么只有ASML这一家公司能够生产EUV光刻机的原因。
2、半导体战争与ASML拒绝交货的原因
ASML在光刻机上至少50%的零件必须从美国企业采购，由于美国政府对芯片行业采取了严格的出口管制政策，这导致ASML无法向中芯国际等中国芯片制造商出口EUV光刻机。这个原因也得到了其他EUV光刻机生产商的证实，对此ASML无奈地表示，尽力帮助客户，但是在有关部门的管制范围之内，也有自己的束缚。这意味着，中芯国际等国内芯片制造商的进程将被推迟至少两年，并且他们需要花费大量的时间和精力去寻找其他的解决方案，才能够满足对于7nm芯片量产的探索。
芯片制造该如何突围
芯片制造的方式该如何突围呢？在无法获得EUV光刻机的情况下，可以采用其他的方法，例如芯片堆叠、chiplet技术，增加芯片性能。在这些方案中，使用chiplet等技术变得越来越受到重视，它是一种利用小型芯片结构的方法，可以提高芯片性能和核心数量，同时降低芯片的成本和功耗。这种方法被广泛应用于智能手机、云计算和人工智能等领域。
1、放弃EUV光刻机，寻找另一个突破点
采用芯片堆叠、chiplet技术等其他突破点是一种可行的方案。与其继续在EUV光刻机上耗费时间和金钱，中国芯片企业可以转而寻找其他技术突破点，例如采用芯片堆叠、chiplet技术等，在当前制程难以突破的前提之下，通过叠加芯片密度以及小芯片等手段来增加芯片性能。
2、使用chiplet等技术打开另一条道路
采用芯片堆叠、chiplet技术的好处在于可以将不同结构的芯片组装在一起，以增加芯片性能。例如，在人工智能领域，可以将运算整合到不同的芯片中，从而达到更高的灵活性、性能和功效。采用芯片堆叠、chiplet技术可以使得芯片制造商在性能上与其落后的制程芯片一决高下，其面临的缺陷也大大降低。
总结：
制造芯片的过程中，EUV光刻机的难产对芯片制造产生了困扰，但芯片制造的技术领域依然不断创新，寻找新的突破点和解决方案成为目前的重要任务。芯片堆叠、chiplet技术等方法已成为解决当前芯片制造问题的可行方案，它可以提高芯片性能和核心数量的同时，降低成本和功耗，同时让芯片制造走向更加灵活的未来。
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